Mosfet igbt ΠΊΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ 175,00 Ρ€ΡƒΠ±.

Π’Π΅Π³ΠΈ:
igbt ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΊΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ
мосфСт ΠΈΠ»ΠΈ igbt
ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ ΠΌΠΌΠ° 250 igbt
igbt транзистора gt15q102 ΠΊΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π² санкт ΠΏΠ΅Ρ‚Π΅Ρ€Π±ΡƒΡ€Π³Π΅
igbt 2
мосфСт igbt

ΠœΠžΠ‘Π€Π•Π’ ΠΈ IGBT: сравнСниС ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ΠΈ MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) – это Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройствах, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС Π² ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ ММА 250 IGBT.

IGBT ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ высоким коэффициСнтом усилСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ для использования Π² ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ…. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ высокой ΡΡ„Ρ„Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΡ‚Π°Π±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. Π˜Π½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹ ММА 250 IGBT особСнно популярны срСди спСциалистов, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π² области сварки, благодаря своим прСимущСствам, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ высокая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° сварки.

Вранзистор IGBT GT15Q102 являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· Π»ΠΈΠ΄Π΅Ρ€ΠΎΠ² срСди IGBT транзисторов ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ примСняСтся Π² Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… элСктронных устройствах. Если Π²Π°ΠΌ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ ΠΊΡƒΠΏΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ транзистор Π² Π‘Π°Π½ΠΊΡ‚-ΠŸΠ΅Ρ‚Π΅Ρ€Π±ΡƒΡ€Π³Π΅, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π² спСциализированныС ΠΌΠ°Π³Π°Π·ΠΈΠ½Ρ‹ элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ².

MOSFET ΠΈ IGBT ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ характСристики, ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ. MOSFET транзисторы ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ высоким быстродСйствиСм ΠΈ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ сопротивлСниСм, Ρ‡Ρ‚ΠΎ особСнно ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½ΠΎ Π² схСмах с высокими частотами. IGBT транзисторы, с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ стороны, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с высокими напряТСниями, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΡ… ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ Π² энСргСтичСских систСмах ΠΈ силовых ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ….

Π’ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ ΠΈΠ· транзисторов – MOSFET ΠΈΠ»ΠΈ IGBT – Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ, зависит ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Π·Π°Π΄Π°Ρ‡ΠΈ ΠΈ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΊ устройству. НСзависимо ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ поставщикам элСктронных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ², Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ качСство ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΈΠ½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… ΠΈΠ·Π΄Π΅Π»ΠΈΠΉ.


ΠšΠ°Ρ‚Π°Π»ΠΎΠ³ Mosfet igbt (ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΎΡ€ мосфСт ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΌΠ° 250 транзистора gt15q102 Π² санкт ΠΏΠ΅Ρ‚Π΅Ρ€Π±ΡƒΡ€Π³Π΅ 2)

Π¦Π΅Π½Ρ‹ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ Π½Π° 2025-07-14 18:14:28
Π¦Π΅Π½Ρ‹ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ Π½Π° 2025-07-14 18:14:28
Π¦Π΅Π½Ρ‹ Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ Π½Π° 2025-07-14 18:14:28